A Intel finalizou os testes de validação do Twinscan EXE:5200B, o scanner litográfico de última geração da ASML projetado para viabilizar a produção em massa de processadores com transistores menores que 2 nanômetros. Esse passo marca a transição da tecnologia de demonstração em laboratório para o ambiente fabril, com requisitos de volume, confiabilidade e repetibilidade compatíveis com fabricação comercial.
Diferentemente de protótipos experimentais, o EXE:5200B foi concebido para operar dentro de linhas de produção reais. A plataforma utiliza a tecnologia EUV High-NA (ultravioleta extremo com alta abertura numérica), que já vinha sendo testada por fabricantes desde 2023, mas agora sai do estágio experimental e entra na linha de montagem com metas industriais claras.
Rendimento e precisão
O equipamento atinge uma taxa de processamento de cerca de 175 wafers por hora — quase três wafers por minuto — um ritmo significativo quando aplicado à fabricação de milhões de unidades. Além disso, a precisão de sobreposição entre camadas foi reduzida para aproximadamente 0,7 nanômetro, diminuindo alinhamentos incorretos e potencialmente reduzindo a quantidade de chips descartados por erro de fabricação.
A fonte de laser do scanner oferece projeções com contraste mais alto, o que define com maior nitidez os contornos dos transistores. Componentes como o suporte de wafers, sensores de calibração, estabilidade da base e isolamentos contra vibrações externas também receberam melhorias, ajustes que determinam se um equipamento de custos na casa das centenas de milhões de dólares será produtivo ou inviável.
Simplificação do processo e redução de etapas
Um dos benefícios mais expressivos do novo scanner é a redução do número de etapas de litografia necessárias para obter um mesmo padrão, graças à maior resolução. Isso significa menos máscaras, menor complexidade nas linhas de produção e menos pontos potenciais de falha, contribuindo para acelerar a produção e reduzir custo por peça.
Embora a expectativa seja de que a taxa de defeitos caia mais rapidamente do que em gerações anteriores de equipamentos, o resultado final dependerá da calibração e otimização dos processos da Intel nos próximos meses. A validação do equipamento, porém, representa um sinal verde importante para os planos de escala.
Materiais 2D e parceria com Imec
Paralelamente ao avanço em litografia, a Intel divulgou progressos no estudo de dicalcogenetos de metais de transição — materiais bidimensionais com espessura de poucos átomos que podem complementar ou substituir o silício em áreas dos chips onde o silício deixa de ser eficaz em escalas tão pequenas. Esse trabalho é desenvolvido em colaboração com o Imec, instituto europeu de pesquisa, com o objetivo de tornar viável a integração desses materiais em wafers de 300 mm sem comprometer a economia de escala.
Próximos passos e cronograma
A ASML planeja iniciar entregas em volume do EXE:5200B a partir de 2027, mas 2026 será um ano decisivo para alinhar expectativas e calibrar processos junto a clientes estratégicos como Intel, TSMC e Samsung. A própria ASML já discute evolução além do High-NA, com referências a iniciativas como Hyper-NA, enquanto o setor acompanha a corrida por litografias cada vez mais avançadas.
Em resumo, a validação do Twinscan EXE:5200B representa um marco discreto, porém crítico, na jornada para a produção industrial de chips abaixo de 2 nm — um passo que combina avanços em equipamentos, novos materiais e intensa colaboração entre indústria e pesquisa.
Fonte: Hardware.com.br – https://www.hardware.com.br/noticias/intel-scanner-asml-chips-nova-geracao/

























